实验设备

● 工作温度：最高900℃（<10min）；
   800℃（<30min）；600℃（长期）
● 加热区：380mm    双温区：190mm+190mm
● 热偶：进口K型热偶, 紧贴在放样品的AlN片下
● 电源：AC380V, 50Hz 两相   最大功率：24KW

● 双层壳体结构，并带有风冷系统，使壳体表面温度低于60℃
● 采用短波红外灯管对样品加热，可达到快速加热的效果
● 样品台滑轨周围嵌有可伸缩波纹管，允许样品在真空或气氛保护环境下移动,以达到快速加热和快速降温的效果
● 内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命
● 设有开门断电功能,提高实验安全性

8 根红外灯管 (每个灯管功率1.5KW）

● 最快升温速率：
室温~800℃： 50 ℃/s，800℃~900℃： 10℃/s
● 最快降温速率：
60℃/min (在 200 mtorr下), 117℃/min (在一个大气压下) (参考值，具体请点击)
最慢降温速率10℃/min

● 包含一款808P型温度控制器
● PID自动控温系统
● 智能化30段可编程控制
● 控温精度：±1℃
● 默认DB9 PC通信连接端口
● 通过MET认证
● 可选购电脑温度控制软件(用于YD518P系列控制器)用于控制升温曲线和导出数据。

● 石英管尺寸: 110 O.D x 106 I.D x 740mm
● AlN 具有很高的热导率，所以在样品放置的区域有很好的温度均匀性±5℃
● 可选：3"O.D的石墨衬底替代AlN陶瓷片
● 可选：将含坩埚盖盖规格为87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩埚设计三个坩埚架，则可被改造成一个RTE,CSS或HPCVD炉，另外石墨坩埚表面涂有SiC涂层。
● 样品架也可从法兰上拆卸，与其他类型RTP炉配套使用。
● 一片3" AlN 片放在样品架上用来放置需要退火的样品。
● 3" 的样品架固定在滑动法兰上，材质为石英材料。

● KF-25D型不锈钢高真空法兰上配有两个高温硅胶O形圈并安装有针阀和水冷套。
● 在冷却水开启的情况下设备可长期在≦600℃温度下工作。
● 循环水流量:0.5 m3/h
● 法兰上安装有滑轨可直接推拉操作，取放样品简单便捷，同时也可满足其他特殊工艺的要求。
● 可插入式的铠装热电偶，使测得样品温度更加精确。

● 用机械泵真空度达 50 mtorr
● 用分子泵真空度可达 10E-4 torr

● 如果您没有水冷机，选购一台冷却机是必要的。
● 我们建议采用循环水制冷器作为冷却系统（可节约用水）

● 此设备标配一个机械压力表
● 可选配其他数字真空计，具体请点击下方图片或咨询销售部

此炉可以增加镀SiC的石墨坩埚改造成RTE(快速热蒸发）炉（可查看下方的图片自己制备RTE）

1000（L）×540（W）×800（H） mm

180Kg

● 您可以将RTP炉，真空泵及混气系统搭建组合为真空炉或CVD系统
● 为带气氛保护下得到较快的降温速度<10℃/s, 你可以选择带滑轨的 RTP 炉
● 你可选购压力控制模块来监控并保持工作腔室压力稳定。
● 标配流量计量程范围：16-160 ml/min，您可以在我公司选购其他流量计

● 炉管内气压不可高于0.02MPa
● 由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全。
● 当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态
● 进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击
● 石英管的长时间使用温度＜1100℃
● 对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）
● 这款炉子也可以被改造成RTE,CSS或HPCVD炉使用，同时石墨坩埚被碳化硅涂层(点击下图了解如何自行搭建RTE炉)

● 在进行化学气相沉积后，石墨烯可从金属催化剂转移到另一个基片衬底上，此法可被广泛应用制备二维材料。通过CVD法生长的石墨烯，表面平整度高且无残渣。

所有电器元件（>24V）都通过UL / MET / CSA认证CE认证/若客户出认证费用，本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证