GaN薄膜
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氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
| 技术参数 | |
|---|---|
| 常规尺寸 |
dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 |
| 产品定位 | C轴<0001>±1° |
| 传导类型 | N型；半绝缘型；P型 |
| 电阻率 | R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm |
| 位错密度 | <1x108 Cm-2 |
| 表面处理(镓面) | AS Grown |
| 有效值 | <1nm |
| 可用表面积 | >90% |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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