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超薄Si片

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化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

产品简介
掺杂物质	掺B	掺P
类型	P	N
电阻率Ω.cm	10-3 ~ 40	10-3 ~ 40
EPD(cm-2 )	≤100	≤100
氧含量( /cm3 )	≤1.8 x1018	≤1.8 x1018
碳含量( /cm3 )	≤5x1016

● 晶体方向： <111> ； <100> ； <110> ± 0.5o 或特殊的方向

● 常规尺寸：dia2"x0.1mm,dia2"x0.2 mm

● dia2"直径公差±0.4mm；厚度公差±25um

● 可根据要求提供特殊尺寸和方向的基片

● 产品包装：单片盒或25片插盒封装

● 同时可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！

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